Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRFR214TRL
Explicación
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 250 V 2.2A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount DPAK
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Package / Case
-
Base Product Number
IRFR214

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFR214TRL

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IRFR214, IRFU214, SiHFR214, SiHFU214)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IRFR214TRPBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 1,947
Precio unitario : $1.40000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent