Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRF3709ZLPBF
Explicación
MOSFET N-CH 30V 87A TO262
Descripción detallada
N-Channel 30 V 87A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-262
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2130 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
79W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

SP001574636
*IRF3709ZLPBF

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF3709ZLPBF

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IRF3709Z (S,L) PbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
()
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF3709Z (S,L) PbF)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IPI90N04S402AKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 453
Precio unitario : $2.92000
Tipo de reemplazo : Similar
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