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GermanySPD02N60S5BTMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SPD02N60S5BTMA1
Explicación
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
240 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
25W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
SPD02N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-SPD02N60S5BTMA1-ITTR
SPD02N60S5INCT
SPD02N60S5BTMA1DKR
SPD02N60S5-ND
SPD02N60S5INDKR
SPD02N60S5
SPD02N60S5XT
SPD02N60S5BTMA1CT
INFINFSPD02N60S5BTMA1
SPD02N60S5INTR-ND
SPD02N60S5INCT-ND
SP000083074
SPD02N60S5INTR
SPD02N60S5BTMA1TR
SP000313943
SPD02N60S5INDKR-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPD02N60S5BTMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SP(U,D)02N60S5)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(SP(U,D)02N60S5)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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