Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IPD25N06S240ATMA1
Explicación
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 26µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
513 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD25N

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2156-IPD25N06S240ATMA1
SP000252164
IPD25N06S2-40-ND
IFEINFIPD25N06S240ATMA1
IPD25N06S2-40
IPD25N06S240ATMA1TR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD25N06S240ATMA1

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IPD25N06S2-40)
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1(IPD25N06S2-40)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IPD25N06S240ATMA2
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 2,445
Precio unitario : $0.87000
Tipo de reemplazo : Direct