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GermanyNDS8852H
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NDS8852H
Explicación
MOSFET N/P-CH 30V 4.3A 8SOIC
Descripción detallada
Mosfet Array 30V 4.3A, 3.4A 1W Surface Mount 8-SOIC
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.3A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 15V
Power - Max
1W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Base Product Number
NDS885
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
NDS8852HCT
NDS8852HTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/onsemi NDS8852H
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NDS8852H)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(NDS8852H)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-