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China
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GermanyBD179
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BD179
Explicación
TRANS NPN 80V 3A TO126
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 3MHz 30 W Through Hole TO-126
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Power - Max
30 W
Frequency - Transition
3MHz
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126
Base Product Number
BD179
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-BD179-ON
ONSONSBD179
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi BD179
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BD179)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 30/Jun/2006)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : BD17910STU
Fabricante : Rochester Electronics, LLC
Cantidad disponible : 9,600
Precio unitario : $0.49000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 9,600
Precio unitario : $0.49000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent