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GermanyNP80N055PDG-E1B-AY
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NP80N055PDG-E1B-AY
Explicación
MOSFET N-CH 55V 80A TO263
Descripción detallada
N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount TO-263
Fabricación
Renesas Electronics Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
161
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta), 115W (Tc)
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-NP80N055PDG-E1B-AY-RETR
RENRNSNP80N055PDG-E1B-AY
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation NP80N055PDG-E1B-AY
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 161
Precio unitario: $1.87
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 161
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 161
Alternativas
-