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GermanySCT2120AFC
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SCT2120AFC
Explicación
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Descripción detallada
N-Channel 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB
Fabricación
Rohm Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 3.3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 500 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
165W (Tc)
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SCT2120
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Rohm Semiconductor SCT2120AFC
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
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1(Mult Dev EOL 1/Feb/2021)
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1(SCT2120AFC Wafer Chgs 2/Jun/2020)
HTML Datasheet
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Simulation Models
1(SCT2120AF Spice Model)
Reliability Documents
1(MOS-2GTHD Reliability Test)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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Fabricante : Rohm Semiconductor
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Modelo de producto : IPP60R199CPXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 512
Precio unitario : $3.99000
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Modelo de producto : IPP65R190E6XKSA1
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Cantidad disponible : 80
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Modelo de producto : SPP24N60C3XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 131
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Modelo de producto : STP28N65M2
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 926
Precio unitario : $3.35000
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