English
China
Rusia
Italy
GermanyIRF6718L2TRPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF6718L2TRPBF
Explicación
MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET
Descripción detallada
N-Channel 25 V 61A (Ta), 270A (Tc) 4.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L6
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
61A (Ta), 270A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.7mOhm @ 61A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 13 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
4.3W (Ta), 83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET L6
Package / Case
DirectFET™ Isometric L6
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRF6718L2TRPBFDKR
IRF6718L2TRPBFCT
IRF6718L2TRPBF-ND
IRF6718L2TRPBFTR
SP001523928
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6718L2TRPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF6718L2TR(1)PbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
()
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 20/Dec/2013)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(IRF6718L2TR(1)PbF)
Simulation Models
1(IRF6718L2TR1PBF Saber Model)
Product Drawings
1(IR Hexfet Circuit)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-