English
China
Rusia
Italy
GermanyHGTD3N60C3S9A
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
HGTD3N60C3S9A
Explicación
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
Descripción detallada
IGBT 600 V 6 A 33 W Surface Mount TO-252AA
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
HGTD3N60C3S9A Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 3A
Power - Max
33 W
Switching Energy
85µJ (on), 245µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
10.8 nC
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
480V, 3A, 82Ohm, 15V
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
TO-252AA
Base Product Number
HGTD3N60
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/onsemi HGTD3N60C3S9A
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(HGTD3N60C3S, HGTP3N60C3)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
HTML Datasheet
1(HGTD3N60C3S, HGTP3N60C3)
EDA Models
1(HGTD3N60C3S9A Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IKD03N60RFATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 2,365
Precio unitario : $0.93000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 2,365
Precio unitario : $0.93000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STGD3NB60SDT4
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 4,484
Precio unitario : $1.06000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 4,484
Precio unitario : $1.06000
Tipo de reemplazo : Similar