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Germany2SD2096T114E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SD2096T114E
Explicación
TRANS NPN 60V 3A HRT
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 8MHz 1.8 W Through Hole HRT
Fabricación
Rohm Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
Power - Max
1.8 W
Frequency - Transition
8MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
HRT
Supplier Device Package
HRT
Base Product Number
2SD2096
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2SD2096T114ECT
2SD2096T114EDKR
2SD2096T114EDKRINACTIVE
2SD2096T114ETR
2SD2096T114EDKR-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Rohm Semiconductor 2SD2096T114E
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(2SD2096)
HTML Datasheet
1(2SD2096)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : KSD1408YTU
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 6,004
Precio unitario : $1.32000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 6,004
Precio unitario : $1.32000
Tipo de reemplazo : Direct