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GermanyIRF6218STRLPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF6218STRLPBF
Explicación
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
Descripción detallada
P-Channel 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
800
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2210 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRF6218STRLPBFCT
2156-IRF6218STRLPBF
IRF6218STRLPBFDKR
IRF6218STRLPBFTR
IRF6218STRLPBF-ND
SP001576876
IFEINFIRF6218STRLPBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6218STRLPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF6218SPbF/LPbF)
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()
HTML Datasheet
1(IRF6218SPbF/LPbF)
Simulation Models
1(IRF6218STRLPBF Saber Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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