Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
RN2906(T5L,F,T)
Explicación
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
200MHz
Power - Max
200mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
US6
Base Product Number
RN2906

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Otros nombres

RN2906(T5LFT)TR
RN2906(T5LFT)DKR
RN2906(T5LFT)CT

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased/Toshiba Semiconductor and Storage RN2906(T5L,F,T)

Documentos y medios de comunicación

-

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : MUN5133DW1T1G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 12,317
Precio unitario : $0.32000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : NSVMUN5133DW1T1G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : PUMB13,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 3,002
Precio unitario : $0.26000
Tipo de reemplazo : Similar