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GermanyIRFSL9N60ATRR
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFSL9N60ATRR
Explicación
MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole I2PAK
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
170W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IRFSL9
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFSL9N60ATRR
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFSL9N60A, SiHFSL9N60A)
HTML Datasheet
1(IRFSL9N60A, SiHFSL9N60A)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : AOW11N60
Fabricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Cantidad disponible : 773
Precio unitario : $2.81000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 773
Precio unitario : $2.81000
Tipo de reemplazo : Similar