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GermanySSM5H12TU(TE85L,F)
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SSM5H12TU(TE85L,F)
Explicación
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Descripción detallada
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
U-MOSIII
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
133mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.9 nC @ 4 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
123 pF @ 15 V
FET Feature
Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
UFV
Package / Case
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Base Product Number
SSM5H12
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
SSM5H12TU(TE85LF)TR
SSM5H12TU(TE85LF)DKR
SSM5H12TUTE85LF
SSM5H12TU(TE85LF)CT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H12TU(TE85L,F)
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Mosfets Prod Guide)
Product Training Modules
1(Small Signal MOSFET)
HTML Datasheet
1(Mosfets Prod Guide)
Product Drawings
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SSM5H16TU,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 3,515
Precio unitario : $0.46000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 3,515
Precio unitario : $0.46000
Tipo de reemplazo : Direct