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Germany2SC6042,T2HOSH1Q(J
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SC6042,T2HOSH1Q(J
Explicación
TRANS NPN 375V 1A MSTM
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 375 V 1 A 1 W Through Hole MSTM
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
375 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Power - Max
1 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
SC-71
Supplier Device Package
MSTM
Base Product Number
2SC6042
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2SC6042T2HOSH1Q(J
2SC6042T2HOSH1QJ
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042,T2HOSH1Q(J
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(2SC6042)
HTML Datasheet
1(2SC6042)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-