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GermanyFQN1N50CBU
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQN1N50CBU
Explicación
MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Descripción detallada
N-Channel 500 V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
FQN1N50CBU Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
380mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
195 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-92-3
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Base Product Number
FQN1
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQN1N50CBU
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
EDA Models
1(FQN1N50CBU Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FQN1N50CTA
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 3,312
Precio unitario : $0.60000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 3,312
Precio unitario : $0.60000
Tipo de reemplazo : Similar