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Germany2SA1837,HFEMBJF(J
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SA1837,HFEMBJF(J
Explicación
TRANS PNP 230V 1A TO220NIS
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 1 A 70MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
230 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Power - Max
2 W
Frequency - Transition
70MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
TO-220NIS
Base Product Number
2SA1837
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Otros nombres
2SA1837HFEMBJFJ
2SA1837HFEMBJF(J
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837,HFEMBJF(J
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(2SA1837)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : 2SA1668
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar