English
China
Rusia
Italy
Germany70V3579S4DR
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
70V3579S4DR
Explicación
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
Descripción detallada
SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mbit Parallel 4.2 ns 208-PQFP (28x28)
Fabricación
Renesas Electronics Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
6
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Volatile
Memory Format
SRAM
Technology
SRAM - Dual Port, Synchronous
Memory Size
1.125Mbit
Memory Organization
32K x 36
Memory Interface
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page
-
Access Time
4.2 ns
Voltage - Supply
3.15V ~ 3.45V
Operating Temperature
0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
208-BFQFP
Supplier Device Package
208-PQFP (28x28)
Base Product Number
70V3579
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
Otros nombres
IDT70V3579S4DR
IDT70V3579S4DR-ND
Categoría
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Renesas Electronics Corporation 70V3579S4DR
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
()
PCN Packaging
1(All Dev Label Chg 1/Dec/2022)
HTML Datasheet
1(IDT Suffixes)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : 70V3579S4DRG
Fabricante : Renesas Electronics Corporation
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $132.50354
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $132.50354
Tipo de reemplazo : Direct