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GermanyNGTD17T65F2WP
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NGTD17T65F2WP
Explicación
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Descripción detallada
IGBT Trench Field Stop 650 V Surface Mount Die
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
IGBT Type
Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 40A
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
-
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
NGTD17
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/onsemi NGTD17T65F2WP
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NGTD17T65F2)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(NGTD17T65F2)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-