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China
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Germany2SC2812-7-TB-E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SC2812-7-TB-E
Explicación
NPN SILICON TRANSISTOR
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 100MHz 200 mW Surface Mount 3-CP
Fabricación
Sanyo
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,210
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Sanyo
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 1mA, 6V
Power - Max
200 mW
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
3-CP
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
ONSSNY2SC2812-7-TB-E
2156-2SC2812-7-TB-E
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Sanyo 2SC2812-7-TB-E
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 1210
Precio unitario: $0.25
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1210
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1210
Alternativas
-