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China
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GermanyBD435
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BD435
Explicación
TRANS NPN 32V 4A TO126
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 500mA, 1V
Power - Max
36 W
Frequency - Transition
3MHz
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126
Base Product Number
BD435
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-BD435-ON
ONSONSBD435
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi BD435
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BD435,437,439,441)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 30/Jun/2006)
HTML Datasheet
1(BD435,437,439,441)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : BD435G
Fabricante : Rochester Electronics, LLC
Cantidad disponible : 11,102
Precio unitario : $0.35000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 11,102
Precio unitario : $0.35000
Tipo de reemplazo : Direct