English
China
Rusia
Italy
GermanySSM6J409TU(TE85L,F
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SSM6J409TU(TE85L,F
Explicación
MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Descripción detallada
P-Channel 20 V 9.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
U-MOSV
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
UF6
Package / Case
6-SMD, Flat Leads
Base Product Number
SSM6J409
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SSM6J409TU (TE85L,F
SSM6J409TU(TE85LFCT
SSM6J409TU(TE85LFDKR
SSM6J409TUTE85LF
SSM6J409TU(TE85LFTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J409TU(TE85L,F
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Mosfets Prod Guide)
Product Training Modules
1(Small Signal MOSFET)
HTML Datasheet
1(Mosfets Prod Guide)
Product Drawings
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SSM6J414TU,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 5,320
Precio unitario : $0.47000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 5,320
Precio unitario : $0.47000
Tipo de reemplazo : Similar