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GermanyMTY30N50E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MTY30N50E
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 500 V 30A 300W (Tc) Through Hole TO-264
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
55
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10080 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-264
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-MTY30N50E
ONSONSMTY30N50E
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi MTY30N50E
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 55
Precio unitario: $5.5
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 55
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 55
Alternativas
-