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GermanySIGC12T60SNCX7SA2
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SIGC12T60SNCX7SA2
Explicación
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
Descripción detallada
IGBT NPT 600 V 10 A Surface Mount Die
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
IGBT Type
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 10A
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Td (on/off) @ 25°C
29ns/266ns
Test Condition
400V, 10A, 25Ohm, 15V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
SIGC12
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
Otros nombres
SP001302826
448-SIGC12T60SNCX7SA2
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/Infineon Technologies SIGC12T60SNCX7SA2
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SIGC06T60EX1SA2
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar