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GermanyPSMN018-100ESFQ
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PSMN018-100ESFQ
Explicación
MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 100 V 53A (Ta) 111W (Ta) Through Hole I2PAK
Fabricación
Nexperia USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Nexperia USA Inc.
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
53A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1482 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
111W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Nexperia USA Inc. PSMN018-100ESFQ
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PSMN018-100ESF)
PCN Packaging
1(All Dev Label Chgs 2/Aug/2020)
HTML Datasheet
1(PSMN018-100ESF)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-