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GermanyBDP949E6327HTSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BDP949E6327HTSA1
Explicación
TRANS NPN 60V 3A SOT223-4
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4-10
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 1V
Power - Max
5 W
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
Base Product Number
BDP949
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Otros nombres
BDP949E6327INTR-ND
BDP 949 E6327
BDP949E6327BTSA1
BDP949E6327HTSA1DKR
BDP949E6327INCT-ND
BDP949E6327INTR
BDP 949 E6327-ND
BDP949E6327HTSA1TR
BDP949E6327INDKR-ND
BDP949E6327INCT
BDP949E6327HTSA1CT
BDP949E6327
BDP949E6327INDKR
BDP949E6327XT
SP000010932
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Infineon Technologies BDP949E6327HTSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BDP,947,949,953)
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HTML Datasheet
1(BDP,947,949,953)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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Precio unitario : $0.86000
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