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GermanyIXFX90N20Q
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXFX90N20Q
Explicación
MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247-3
Descripción detallada
N-Channel 200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
30
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Q Class
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
500W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PLUS247™-3
Package / Case
TO-247-3 Variant
Base Product Number
IXFX90
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFX90N20Q
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IXF(X,K)90N20Q)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
HTML Datasheet
1(IXF(X,K)90N20Q)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRFP90N20DPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 1,171
Precio unitario : $6.04000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 1,171
Precio unitario : $6.04000
Tipo de reemplazo : Similar