English
China
Rusia
Italy
GermanyIGN1011L70
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IGN1011L70
Explicación
RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
Descripción detallada
RF Mosfet 50 V 22 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 22dB 80W PL32A2
Fabricación
Integra Technologies Inc.
Plazo de entrega estándar
4 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
15
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Integra Technologies Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
GaN HEMT
Frequency
1.03GHz ~ 1.09GHz
Gain
22dB
Voltage - Test
50 V
Current Rating (Amps)
-
Noise Figure
-
Current - Test
22 mA
Power - Output
80W
Voltage - Rated
120 V
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
PL32A2
Supplier Device Package
PL32A2
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Otros nombres
2251-IGN1011L70
EAR99
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/Integra Technologies Inc. IGN1011L70
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IGN1011L70)
Cantidad y precio
Cantidad: 15
Precio unitario: $203.29267
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $212.26
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
-