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GermanyBSM75GB170DN2HOSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSM75GB170DN2HOSA1
Explicación
IGBT MOD 1700V 110A 625W
Descripción detallada
IGBT Module Half Bridge 1700 V 110 A 625 W Chassis Mount Module
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
10
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V
Current - Collector (Ic) (Max)
110 A
Power - Max
625 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 75A
Input Capacitance (Cies) @ Vce
11 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM75G
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
INFINFBSM75GB170DN2HOSA1
2156-BSM75GB170DN2HOSA1
SP000100464
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies BSM75GB170DN2HOSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSM75GB170DN2)
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1(Part Number Guide)
HTML Datasheet
1(BSM75GB170DN2)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : APTGT300A170G
Fabricante : Microchip Technology
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $443.43333
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $443.43333
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