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GermanySPP11N60S5HKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SPP11N60S5HKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1460 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SPP11N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SPP11N60S5IN
SPP11N60S5X
SPP11N60S5
SPP11N60S5IN-NDR
SPP11N60S5IN-ND
SPP11N60S5XTIN
SPP11N60S5XTIN-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPP11N60S5HKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SPP,SPI11N60S5)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
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Cantidad y precio
-
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