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GermanyRN1910FE(T5L,F,T)
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
RN1910FE(T5L,F,T)
Explicación
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
RN1910FE(T5L,F,T) Models
Embalaje estándar
4,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
250MHz
Power - Max
100mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
ES6
Base Product Number
RN1910
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
RN1910FE(T5LFT)CT
RN1910FE(T5LFT)TR
RN1910FE(T5LFT)DKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased/Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE(T5L,F,T)
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(RN1910,11FE Datasheet)
EDA Models
1(RN1910FE(T5L,F,T) Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : PUMH7,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 12,777
Precio unitario : $0.28000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 12,777
Precio unitario : $0.28000
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