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GermanyDSM80101M-7
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
DSM80101M-7
Explicación
TRANS NPN 80V 0.5A SOT26
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN + Diode (Isolated) 80 V 500 mA 600 mW Surface Mount SOT-26
Fabricación
Diodes Incorporated
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Diodes Incorporated
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN + Diode (Isolated)
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 10mA, 1V
Power - Max
600 mW
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-23-6
Supplier Device Package
SOT-26
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
1134-DSM80101M-7DITR
1134-DSM80101M-7DICT
1134-DSM80101M-7DIDKR
DSM80101M-7DICT
-DSM80101M-7DIDKR
DSM80101M-7DIDKR
-DSM80101M-7DITR
DSM80101M-7DITR
-DSM80101M-7DICT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Diodes Incorporated DSM80101M-7
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN Assembly/Origin
1(Wafer Source 21/Apr/2017)
HTML Datasheet
1(DSM80101M)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : NSM80101MT1G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 803
Precio unitario : $0.41000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 803
Precio unitario : $0.41000
Tipo de reemplazo : Direct