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GermanyR1LV0816ASD-5SI#B0
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
R1LV0816ASD-5SI#B0
Explicación
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II
Descripción detallada
SRAM Memory IC 8Mbit Parallel 55 ns 52-TSOP II
Fabricación
Renesas Electronics Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
R1LV0816ASD-5SI#B0 Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Volatile
Memory Format
SRAM
Technology
SRAM
Memory Size
8Mbit
Memory Organization
1M x 8, 512K x 16
Memory Interface
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page
55ns
Access Time
55 ns
Voltage - Supply
2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature
-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Supplier Device Package
52-TSOP II
Base Product Number
R1LV0816A
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Renesas Electronics Corporation R1LV0816ASD-5SI#B0
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(R1LV0816ASD Series)
Environmental Information
1(RoHS Compliance)
PCN Obsolescence/ EOL
1(8MB LPSRAM EOL 19/Aug/2015)
PCN Packaging
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA Models
1(R1LV0816ASD-5SI#B0 Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-