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GermanyFQD2N80TM
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQD2N80TM
Explicación
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
FQD2N80
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
FQD2N80TMDKR
FQD2N80TMCT
FQD2N80TMTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQD2N80TM
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FQD2N80)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 23/Dec/2021)
PCN Design/Specification
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev 13/Aug/2020)
PCN Packaging
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRFR1N60APBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 1,189
Precio unitario : $1.49000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 1,189
Precio unitario : $1.49000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STD7NM80
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 4,929
Precio unitario : $3.81000
Tipo de reemplazo : Similar
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Tipo de reemplazo : Similar