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GermanyIPD60R520CPBTMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPD60R520CPBTMA1
Explicación
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CP
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
520mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
630 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
66W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD60R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPD60R520CPCT-ND
IPD60R520CPDKR
SP000405852
IPD60R520CPCT
IPD60R520CPBTMA1CT
IPD60R520CPBTMA1DKR
IPD60R520CPBTMA1TR
IPD60R520CP
2156-IPD60R520CPBTMA1-ITTR
IPD60R520CPDKR-ND
IPD60R520CP-ND
IPD60R520CPTR-ND
INFINFIPD60R520CPBTMA1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD60R520CPBTMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPD60R520CP)
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Cantidad y precio
-
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