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GermanyBFP640E6327
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BFP640E6327
Explicación
RF BIPOLAR TRANSISTOR
Descripción detallada
RF Transistor NPN 4.5V 50mA 40GHz 200mW Surface Mount PG-SOT343-4
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
866
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
4.5V
Frequency - Transition
40GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Gain
24dB
Power - Max
200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
110 @ 30mA, 3V
Current - Collector (Ic) (Max)
50mA
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-82A, SOT-343
Supplier Device Package
PG-SOT343-4
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
2156-BFP640E6327
INFINFBFP640E6327
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Infineon Technologies BFP640E6327
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 866
Precio unitario: $0.35
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 866
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 866
Alternativas
-