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GermanyDMG4N65CTI
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
DMG4N65CTI
Explicación
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Descripción detallada
N-Channel 650 V 4A (Tc) 8.35W (Ta) Through Hole ITO-220AB
Fabricación
Diodes Incorporated
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
DMG4N65CTI Models
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Diodes Incorporated
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
8.35W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
ITO-220AB
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Product Number
DMG4
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
DMG4N65CTIDI
DMG4N65CTIDDI
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Diodes Incorporated DMG4N65CTI
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(DMG4N65CTI)
Environmental Information
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices EOL 05/Feb/2019)
HTML Datasheet
1(DMG4N65CTI)
EDA Models
1(DMG4N65CTI Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : TSM4ND65CI
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Cantidad disponible : 1,845
Precio unitario : $2.58000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 1,845
Precio unitario : $2.58000
Tipo de reemplazo : Direct