Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IPD50R399CPBTMA1
Explicación
LOW POWER_LEGACY
Descripción detallada
N-Channel 500 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CP
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 330µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
890 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3-313
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD50R

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

SP000307379
2156-IPD50R399CPBTMA1-ITTR
INFINFIPD50R399CPBTMA1

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD50R399CPBTMA1

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IPD50R399CP)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
HTML Datasheet
1(IPD50R399CP)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 500V C3 Spice Model)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IPD50R399CPATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.89665
Tipo de reemplazo : Direct
Modelo de producto : PJMD360N60EC_L2_00001
Fabricante : Panjit International Inc.
Cantidad disponible : 5,985
Precio unitario : $2.86000
Tipo de reemplazo : Similar