Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
BD13710STU
Explicación
TRANS NPN 60V 1.5A TO126-3
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1.5 A 1.25 W Through Hole TO-126-3
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
60
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Power - Max
1.25 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126-3
Base Product Number
BD13710

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

BD13710STU-ND
BD13710STUOS
2832-BD13710STU

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi BD13710STU

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(BD137 Overview)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 08/Jul/2021)
PCN Design/Specification
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Assembly Chgs 17/Nov/2020)
PCN Packaging
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML Datasheet
1(BD137 Overview)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : BD137G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 393
Precio unitario : $0.77000
Tipo de reemplazo : Similar