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GermanyFDS8670
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FDS8670
Explicación
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Descripción detallada
N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
386
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4040 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-FDS8670-FSTR
FAIFSCFDS8670
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDS8670
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FDS8670)
Cantidad y precio
Cantidad: 386
Precio unitario: $0.78
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 386
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 386
Alternativas
-