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GermanyIPD50R3K0CEBTMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPD50R3K0CEBTMA1
Explicación
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 500 V 1.7A (Tc) 18W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 400mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
84 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
18W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD50R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPD50R3K0CEBTMA1TR
IPD50R3K0CECT-ND
IPD50R3K0CEBTMA1CT
IPD50R3K0CECT
IFEINFIPD50R3K0CEBTMA1
IPD50R3K0CETR
IPD50R3K0CEBTMA1DKR
IPD50R3K0CEDKR
IPD50R3K0CETR-ND
2156-IPD50R3K0CEBTMA1
SP000992074
IPD50R3K0CEDKR-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD50R3K0CEBTMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPx50R3K0CE)
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PCN Packaging
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HTML Datasheet
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Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPD50R3K0CEAUMA1
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Cantidad disponible : 15,879
Precio unitario : $0.53000
Tipo de reemplazo : Direct
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Modelo de producto : AOD3N50
Fabricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Cantidad disponible : 11,229
Precio unitario : $0.66000
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Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.58386
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