English
China
Rusia
Italy
GermanyRN1961FE(TE85L,F)
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
RN1961FE(TE85L,F)
Explicación
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
250MHz
Power - Max
100mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
ES6
Base Product Number
RN1961
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
RN1961FE(TE85LF)DKR
RN1961FE(TE85LF)TR
RN1961FE(TE85LF)CT
RN1961FETE85LF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased/Toshiba Semiconductor and Storage RN1961FE(TE85L,F)
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(RN1961-66FE)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-