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GermanyAUIRLR3915TRL
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
AUIRLR3915TRL
Explicación
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1870 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
120W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA (DPAK)
Package / Case
-
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies AUIRLR3915TRL
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(AUIRLR3915)
Other Related Documents
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Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPD30N06S2L13ATMA4
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 20,415
Precio unitario : $1.51000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 20,415
Precio unitario : $1.51000
Tipo de reemplazo : Direct
Modelo de producto : FDD13AN06A0
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 12,019
Precio unitario : $1.74000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 12,019
Precio unitario : $1.74000
Tipo de reemplazo : Similar