English
China
Rusia
Italy
GermanyFQA33N10L
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQA33N10L
Explicación
MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Descripción detallada
N-Channel 100 V 36A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-3P
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
FQA33N10L Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1630 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
163W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Base Product Number
FQA3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQA33N10L
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FQA33N10L)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(FQA33N10L)
EDA Models
1(FQA33N10L Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : 2SK1317-E
Fabricante : Renesas Electronics Corporation
Cantidad disponible : 5,614
Precio unitario : $6.59000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 5,614
Precio unitario : $6.59000
Tipo de reemplazo : Similar