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GermanyPH3855L,115
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PH3855L,115
Explicación
MOSFET N-CH 55V 24A LFPAK56
Descripción detallada
N-Channel 55 V 24A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11.7 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
765 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
LFPAK56, Power-SO8
Package / Case
SC-100, SOT-669
Base Product Number
PH38
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
PH3855L T/R-ND
PH3855L T/R
934058855115
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. PH3855L,115
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PH3855L)
Environmental Information
()
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
1(PH3855L)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : HAT2266H-EL-E
Fabricante : Renesas Electronics Corporation
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar