English
China
Rusia
Italy
Germany2N4123
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2N4123
Explicación
TRANS NPN 30V 0.2A TO92
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 200 mA 250MHz 350 mW Through Hole TO-92
Fabricación
Harris Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
430
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 2mA, 1V
Power - Max
350 mW
Frequency - Transition
250MHz
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package
TO-92
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
HARHAR2N4123
2156-2N4123
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Harris Corporation 2N4123
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 430
Precio unitario: $0.7
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 430
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 430
Alternativas
-