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GermanyRJM0603JSC-00#12
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
RJM0603JSC-00#12
Explicación
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A 20HSOP
Descripción detallada
Mosfet Array 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP
Fabricación
Renesas Electronics Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Tray
Product Status
Active
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET Feature
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 10V
Power - Max
54W
Operating Temperature
175°C
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Supplier Device Package
20-HSOP
Base Product Number
RJM0603
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Renesas Electronics Corporation RJM0603JSC-00#12
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(RJM0603JSC)
PCN Packaging
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
HTML Datasheet
1(RJM0603JSC)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-