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GermanyIPI65R190CFDXKSA2
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPI65R190CFDXKSA2
Explicación
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
Descripción detallada
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CFD2
Package
Tube
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1850 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
151W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IPI65R190
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001987344
448-IPI65R190CFDXKSA2
IPI65R190CFDXKSA2-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPI65R190CFDXKSA2
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPx65R190CFD)
HTML Datasheet
1(IPx65R190CFD)
Cantidad y precio
Cantidad: 500
Precio unitario: $2.1273
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 500
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 500
Alternativas
-