Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
RN1117(T5L,F,T)
Explicación
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
RN1117(T5L,F,T) Models
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequency - Transition
250 MHz
Power - Max
100 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-75, SOT-416
Supplier Device Package
SSM
Base Product Number
RN1117

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Otros nombres

RN1117 (T5L,F,T)
RN1117(T5LFT)TR
RN1117(T5LFT)CT
RN1117T5LFT
RN1117(T5LFT)DKR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage RN1117(T5L,F,T)

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(RN1114,5,6,7,8)
EDA Models
1(RN1117(T5L,F,T) Models)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : RN1117MFV,L3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 7,900
Precio unitario : $0.17000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : DDTC114WE-7-F
Fabricante : Diodes Incorporated
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.05870
Tipo de reemplazo : Similar